10纳米工艺门槛虽然金贵，依然只是一个过渡工艺，真正的长寿命是7纳米。台积电4月份已经宣布试产7纳米工艺，2018年初就会正式量产，高通骁龙845、华为麒麟980、苹果A12将率先通过。 　　这意味着2018年，旗舰手机芯片将进入7纳米时代。高通的下一代处理器“骁龙845（代号Napali）”已经进入研发阶段，将采用7纳米工艺制造，台积电正在和三星抢单，在20纳米之后，高通也将重新回归台积电怀抱。 　　然而，高通受制于和三星的关系，以及高额的流片成本，与台积电的合作还未明朗。骁龙845预定2018年初问世，和前代相比，将提升25~35%效能，首发机种将会是三星电子的Galaxy S9旗舰手机。 　　7纳米已经试产，英特尔落后两代 　　目前，台积电宣布7纳米制程已进入试产阶段，2018年将步入大规模量产阶段。有消息指出，目前与台积电合作的30家预定客户当中，有一半客户计划以7纳米制程打造高性能芯片，包括联发科、华为旗下海思半导体，以及辉达（Nvidia）届时都将采用台积电即将生产的7纳米制程。 　　并且，由于10纳米设备和7纳米设备相通，缩短了下一代7纳米的学习曲线，台积电将于2019年推出支持极紫外光(EUV)微影技术的7+纳米，2020年则5纳米可望进入量产。 　　按照台积电给出的规划，2018年将开始大规模铺开7nm工艺，不过第一代不会用上EUV工艺，而2019年的第二代增强型7nm节点才会用上EUV工艺，而苹果是后者的潜在大客户。 　　不过，今年所有处理器还都集中在10nm上，已经到来的骁龙835、还有A11、麒麟970以及联发科的Helio X30等。按照华为的节奏，基于10nm工艺的麒麟970要等到下半年台积电一切就绪才会提上议程，当然那个时候Mate 10将会毫无悬念首发麒麟970处理器。 　　相对于台积电与三星都积极布局7纳米制程，英特尔（Intel）在制程技术上则采取较保守的态度。就连自家第8代酷睿处理器仍沿用14纳米制程，对比三星与台积电对制程技术激烈竞争到落差2代的情况下，台积电董事长张忠谋曾表示，在7纳米先进制程的竞争当中，台积电的对手只有三星。 　　三星则打算在4月份加码投资10纳米生产线，还计划在2018年打造一座全新的7纳米半导体厂，策略是要抢在竞争对手之前，把超精细的制程技术研发完成。 　　　早前，台积电在ISSCC叙述了一款256Mbit的7纳米工艺SRAM测试芯片，储存单元区域达到0.027mm见方，如该公司内存部门总监Jonathan Chang在简报中所言：“是今年试产出的最小SRAM。” 　　而产生的SRAM宏单元(macro)会是台积电的16纳米工艺版本之0.34倍，采用了7层金属层，整体裸晶尺寸则是42mm见方；Chang的简报中，关键内容是这颗SRAM几乎已经“全熟”，他表示：“我们现在已经能以非常非常健康的良率生产…与我们的设计目标相符。” 　　三星的进展则更偏向研究，开发的部分比较少；该公司打造了8 Mbit测试SRAM，只能看到未来商用7纳米工艺的一小部分。 　　该芯片就其本身而言并不是以EUV微影制作，三星开发了一种创新的维修(repair)工艺，在现有的步进机以及EUV设备上都测试过，而并不令人惊讶的，EUV的效果比较好；一般来说维修并不是工艺，因此这项成果对于三星正在进行的7纳米工艺EUV微影技术开发情况，能透露的不多。 　　产业专家们大多认为，EUV将能在2020年左右准备好应用于某些关键层的制造；三星在去年底表示，将在7纳米工艺采用EUV微影，但并没有透露其应用的局限程度。 　　三星是否会在所谓的7纳米工艺落后台积电一年、两年甚至三年？结果仍有待观察。 三星可以在任何时候决定并根据现实情况定义其EUV使用策略，而或许该公司届时也会在营销语言上说他们家的7纳米工艺更先进，因为用了EUV。